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3단자 반도체 소자(트랜지스터, FET 등)의 정적 특성 측정

관리자 2025-12-02 조회수 421

3단자 반도체 소자(트랜지스터, FET 등)의 정적 특성 측정


3단자 반도체 소자(트랜지스터, FET 등)의 정적 특성 측정 

GS820은 채널 1에서 게이트-소스 전압(VGS)을 인가하고, 다른 채널에서 드레인-소스 전압(VDS)을 인가하여 드레인 전류(ID)를 측정할 수 있습니다.



Tm Gs820 17



Measurement of the Static Characteristics of Three-Terminal Semiconducter Devices (Transistors, FETs, etc.)

Measurement of the Static Characteristics of Three-Terminal Semiconductor Devices (Transistors, FETs, etc.)

The GS820 can measure drain current ID by applying gate-source voltage VGS from channel 1 and drain-source voltage VDS from channel 2.Tm Gs820 17

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