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DLM5000HD를 이용한 전력용 반도체의 스위칭 손실 측정

관리자 2024-05-16 조회수 1,114

【과제】

스위칭 손실은, 스위칭구간(TURN ON/TURN OFF)의 출력전압(VDS)과 전류 (ID)의 곱으로 구할 수 있습니다. 수백 볼트[V]의 출력 전압에 대해 ON 전압은 수 볼트[V]정도 입니다.

고전압과 저전압을 동시에 측정해야 하는 경우 일반적인 8bit 오실로스코프에서는 A/D분해능이 낮아 정밀도 높은 파형 측정을 할 수 없습니다.

SiC MOSFET의 더블펄스시험파형의 관측 예

【해결책】

12bit ADC 탑재의 DLM5000HD라면, 종래의 8bit 오실로스코프에 대비 16배의 분해능을 가지기 때문에, 이러한 광다이나믹 레인지 측정에 매우 적합합니다.
또한, SiC/CaN 등의 차세대 디바이스는, 스위칭 전압의 상승이 고속이기 때문에 고전압의 링잉이 발생하고, 그 억제는 인버터 등의 설계의 중요한 포인트가 됩니다.

이러한 링잉 /노이즈 관측에도 고분해능 오실로스코프가 효과적입니다.

【라인업】

DLM5000HD에 대한 상세정보는 여기에

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